
金融界2025年7月29日消息,国家知识产权局信息显示,通威微电子有限公司申请一项名为“一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用”的专利,公开号CN120382432A,申请日期为2025年05月。
专利摘要显示,本发明公开了一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用,涉及半导体材料加工技术领域。抛光方法包括对碳化硅晶片的气体研磨、精研磨和化学机械抛光;气体研磨中,加热区的压缩气体经喷射区以气流的形式喷出,喷射气流携带研磨介质进入研磨区后,喷射于碳化硅晶片的待研磨面进行研磨处理。通过温度、气流和研磨介质的协同作用,实现对碳化硅晶片待研磨面的研磨,达到高移除量的研磨效果;再经过精磨、化学机械抛光,整个工艺的实施,在效率与质量间找到最佳平衡点,具有产品良率高且研磨成本低的特点,有望推动SiC在新能源、6G通信、航空航天与国防等领域的规模化应用。
天眼查资料显示,通威微电子有限公司,成立于2021年,位于成都市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本85000万人民币。通过天眼查大数据分析,通威微电子有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目14次,专利信息308条,此外企业还拥有行政许可13个。
来源:金融界
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